Innoscience Technology inaugura le nuove sedi in Europa e negli Stati Uniti

Innoscience Technology ha annunciato ufficialmente l’apertura delle sue sedi operative negli Stati Uniti e in Europa, rispettivamente a Santa Clara, in California, e a Leuven, in Belgio. L’azienda prevede che entrambi gli uffici si espanderanno rapidamente nei prossimi mesi e anni, allo scopo di supportare strategicamente il fiorente mercato europeo e statunitense delle soluzioni di alimentazione al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si).
Fondata nel Dicembre 2015, Innoscience è completamente focalizzata sulla tecnologia GaN. L’azienda dispone di due fabbriche di wafer, tra cui il più grande sito al mondo dedicato alla produzione di wafer al GaN-on-Si da 8 pollici. Attualmente l’azienda vanta una capacità produttiva di 10.000 wafer da 8 pollici al mese che aumenteranno fino a 14.000 wafer da 8 pollici al mese entro la fine dell’anno e fino a 70.000 wafer da 8 pollici al mese entro il 2025. L’azienda dispone di un ampio portafoglio di dispositivi con tensioni nominali da 30V a 650V e ha consegnato oltre 35 milioni di componenti per l’utilizzo in applicazioni che includono caricatori/adattatori USB PD, data center, telefoni cellulari e driver LED.
Denis Marcon, Direttore Generale presso Innoscience Europe, ha commentato: “I tempi sono maturi per il GaN e Innoscience è pronta a rifornire il mondo. Per una data funzione, sorpasseremo chiunque sul prezzo dei dispositivi e la nostra enorme capacità produttiva garantisce ai clienti la certezza della sicurezza dell’approvvigionamento, che spesso è al primo posto fra le preoccupazioni data l’attuale carenza di chip. Non vediamo l’ora di lavorare con qualsiasi azienda per diffondere la tecnologia GaN nell’industria elettronica a livello globale”.
Yi Sun, Direttore Generale di Innoscience USA, ha spiegato: “Questo è un momento straordinario per i nostri clienti, che possono trarre vantaggio dall’esclusiva scheda demo applicativa di Innoscience. Ciò ci consentirà di supportare al meglio i nostri clienti negli Stati Uniti e in particolare nella Silicon Valley”.
Contenuti correlati
-
Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 V
Innoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”). I nuovi dispositivi InnoGaN con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package standard DFN...
-
Gli HEMT GaN bidirezionali Bi-GaN di Innoscience adottati da OPPO
Innoscience Technology ha presentato la serie Bi-GaN di dispositivi HEMT bidirezionali per la ricarica che non generano gli incrementi di temperatura a volte riscontrati con i tradizionali dispositivi al silicio. Innoscience ha anche annunciato che OPPO utilizzerà...
-
Accordo di distribuzione fra Innoscience e WPG
Innoscience Technology ha sottoscritto un accordo di distribuzione mondiale con WPG Holdings che consente a clienti in tutto il mondo di accedere ai transistor HMET con tecnologia GaN realizzati da Innoscience per applicazioni in alta e bassa...
-
Innoscience esordisce in Europa al PCIM Europe
Innoscience Technology ha scelto PCIM Europe 2022 per il suo esordio in Europa. La manifestazione, che si terrà dal 10 al 12 maggio 2022 alla Nuremberg Messe di Norimberga, è dedicata all’elettronica di potenza ed è l’occasione...
-
Da Innoscience il design di un alimentatore ad alta densità basato su componenti GaN
Innoscience Technology ha realizzato un nuovo alimentatore dimostrativo da 140 W a densità ultra-alta che utilizza i dispositivi HEMT (high-electron-mobility-transistor) basati sui GaN ad alta e bassa tensione dell’azienda per ottenere efficienze superiori al 95%. L’alimentatore misura...