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Innoscience porta la tecnologia GaN alla fase successivaERT

Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale semiconduttore a banda larga che, rispetto al silicio, presenta caratteristiche e prestazioni eccezionali, tra cui alta efficienza, elevata velocità di commutazione, eccellente gestione termica, ingombro e peso ridotti. Per ottenere un’ampia adozione dei dispositivi basati su GaN nelle applicazioni di alimentazione è ancora necessario superare alcune barriere, che riguardano principalmente la produzione in grandi volumi e la riduzione dei prezzi

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