Infineon: nuovi MOSFET di potenza StrongIRFET 2 da 80 V e 100 V

Pubblicato il 10 marzo 2021

Infineon Technologies ha presentato la nuova generazione di MOSFET StrongIRFET 2 a 80 V e 100 V.

Ottimizzata per frequenze di switching sia basse che alte, la famiglia supporta un’ampia gamma di applicazioni e consente un’elevata flessibilità di progettazione. Tra le applicazioni che possono beneficiare delle caratteristiche di StrongIRFET ci sono SMPS, drive per motori, tool a batteria, sistemi di gestione delle batterie, UPS e veicoli elettrici leggeri .

La nuova tecnologia StrongIRFET offre un miglioramento del 40% del valore di RDS (on) e un Qg  inferiore di oltre il 50% rispetto alla generazione precedente, che si traducono in una maggiore efficienza energetica e nel miglioramento delle prestazioni complessive del sistema. L’aumento della corrente nominale consente di eliminare la necessità di collegare in parallelo più dispositivi, il che porta a minori costi in termini di componenti e un risparmio di spazio.

I nuovi prodotti StrongIRFET 2 possono essere ordinati con un package TO-220.



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