Infineon Technologies e Panasonic Corporation hanno firmato un accordo per lo sviluppo e la produzione congiunti della seconda generazione (Gen2) della loro tecnologia al nitruro di gallio (GaN) che offre livelli di efficienza e densità di potenza particolarmente elevati (i dispositivi di Infineon sono noti come CoolGaN mentre quelli di Panasonic come X-GaN).
I componenti Gen2 saranno sviluppati come 650 V GaN HEMT.
I dispositivi consentiranno facilità d’uso e forniranno un migliore rapporto prezzo-prestazioni, rivolgendosi, tra l’altro, ad applicazioni SMPS ad alta e bassa potenza, energie rinnovabili e applicazioni per l’azionamento dei motori.
Per molti progetti i dispositivi basati su nitruro di gallio offrono infatti vantaggi fondamentali rispetto al silicio. I risparmi energetici e la riduzione dei costi totali del sistema, il funzionamento a frequenze più elevate, la migliore densità di potenza e l’efficienza complessiva del sistema rendono i device GaN una scelta molto interessante per i progettisti.
La disponibilità sul mercato dei nuovi dispositivi 650 V GaN Gen2 è prevista per la prima metà del 2023.