La tecnologia SOI Silicon-on-Insulator (Silicio sopra isolante) incomincia ad essere matura ma a causa del costo di produzione ancora elevato il loro utilizzo di massa è per il momento frenato.
Sebbene negli ultimi anni sono stati eliminati i principali problemi legati a questa tecnologia non si è ancora riusciti ad infrangere la barriera dei costi.
La tecnologia SOI, una tecnologia brevettata da IBM, poi concessa in licenza ad alcuni giganti dell’industria dei semiconduttori fra cui AMD, Philips e Motorola, almeno come ideazione, non è affatto recente ma i problemi tecnici legati alla sua implementazione sono stati per anni un limite invalicabile.
Il primo problema fu trovare un substrato adeguato, in questa tecnologia l’isolante non è il silicio bensì un ossido.
Proprio l’introduzione dello strato di ossido ha permesso di annullare le capacità parassite.
Nel corso degli ultimi anni i passi avanti ottenuti nel campo della tecnologia di produzione e impiantazione hanno eliminato tutti i principali problemi tecnici, adesso rimane “solo” il problema economico.
Indipendentemente dagli attuali impedimenti sono comunque tutti concordi che per l’utilizzo massiccio di questi componenti è solo questione di tempo, visto che le prestazioni di questa tecnologia risultano essere decisamente superiori rispetto ai circuiti che utilizzano come substrato il silicio detti bulk-cmos.
I circuiti realizzati con tecnologia SOI a 0,22micron sono infatti mediamente più veloci dei corrispondenti circuiti a 0,18micron di tipo bulk.