ROHM ha realizzato diodi a barriera Schottky (SBD) caratterizzati da una tensione di breakdown di 100 V, un tempo di reverse recovery (trr) particolarmente contenuto (15ns) e utilizzabili per i circuiti di protezione e alimentazione di applicazioni automotive, industriali e di consumo.
La serie YQ si aggiunge alle pre-esistenti quattro line-up di SBD tradizionali ed è la prima di ROHM ad adottare una struttura trench-MOS.
La nuova struttura migliora anche la perdita di VF e IR rispetto agli SBD planari tradizionali. Questo comporta una riduzione della perdita di potenza durante l’uso in applicazioni di forward bias come la rettifica, offrendo allo stesso tempo un minor rischio di thermal runaway. Di conseguenza questi diodi sono particolarmente interessanti per apparecchiature che richiedono un’elevata velocità di commutazione, ad esempio i circuiti di pilotaggio di fari LED per il settore automotive e i convertitori DC-DC negli xEV che tendono a generare calore.