I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON Semiconductor

Pubblicato il 22 febbraio 2021

ON Semiconductor ha realizzato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC) qualificati per l’uso industriale e conformi alle normative AECQ101 in vigore nel settore automobilistico.

I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON Semiconductor sono basati su un nuovo materiale WBG (Wide Band Gap) che assicura prestazioni di commutazione più elevate e migliori caratteristiche termiche rispetto al silicio. Ciò comporta numerosi vantaggi tra cui maggiore efficienza a livello di sistema, aumento della densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) e diminuzione delle dimensioni e del peso del sistema.

Questa nuova generazione di MOSFET SiC adotta inoltre un progetto innovativo della cella attiva abbinato a un’avanzata tecnologia a film sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (RDS(on) x area attiva) per tensioni di breakdown di 650V.

I modelli NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 e NTH4L015N065SC1 sono caratterizzati da un valore di RDS(on) (12 mOhm) nei package D2PAK7L e TO247.



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