I nuovi MOSFET a canale P di 5a generazione di ROHM

Pubblicato il 11 febbraio 2021

ROHM ha sviluppato nuovi MOSFET a canale P con bassa resistenza di ON e tensione a -40 V/-60 V compatibili con ingressi a 24 V utilizzando un processo di 5a generazione.

La tecnologia utilizzata permette di ottenere una resistenza di ON inferiore del 62% rispetto ai prodotti convenzionali per quanto riguarda i prodotti nuovi con tenuta di tensione di -40 V e del 52% per i nuovi prodotti con tenuta di tensione di – 60 V.

Allo stesso tempo la qualità è stata migliorata ottimizzando la struttura del dispositivo ed adottando un nuovo design che attenua la concentrazione del campo elettrico. Il risultato che si ottiene è sia un’elevata affidabilità che una bassa resistenza di ON (tipici di una relazione di bilanciamento). Queste soluzioni contribuiscono ad una stabilità di funzionamento a lungo termine in apparecchiature industriali che richiedono la massima qualità.

La linea comprende 24 modelli disponibili sia in configurazione singola che duale.

Questi MOSFET possono essere utilizzati per applicazioni industriali e consumer come l’automazione industriale, la robotica e gli impianti di condizionamento dell’aria.



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