I nuovi IGBT da 1200 V di IR

International Rectifier ha introdotto una nuova famiglia di robusti e velocissimi IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) da 1200 V ottimizzati per gli azionamenti industriali e i gruppi di continuità (UPS).

I nuovi dispositivi sfruttano la tecnologia dei wafer ultrasottili a trincea (trench) per garantire minori perdite di conduzione e di commutazione. Inseriti nello stesso contenitore con un diodo di recupero dolce a basso Qrr, i nuovi dispositivi hanno una capacità nominale di sopportare cortocircuiti per 10 µs e sono ottimizzati per le difficili condizioni di funzionamento delle applicazioni industriali.

Questi nuovi IGBT trench da 1200 V offrono una tensione Vce(on) molto ridotta e basse perdite di commutazione garantendo un elevato rendimento di sistema e prestazioni di robustezza che consentono di sopportare con grande affidabilità i fenomeni transitori tipici che si verificano nelle applicazioni industriali più impegnative.

I dispositivi in contenitore coprono un’ampia gamma di correnti nominali da 10 a50 A. Altre caratteristiche fondamentali sono la temperatura di giunzione massima Tjmax di 150 °C, un coefficiente di temperatura positivo per la tensione VCE(on), che facilita la messa in parallelo di più dispositivi, e una bassa VCE(on), che riduce la dissipazione di potenza e permette di raggiungere una più elevata densità di potenza. Gli stessi dispositivi sono disponibili anche sotto forma di die.

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