Murata ha aggiunto alla sua offerta nuovi condensatori realizzati mediante le più recenti tecnologie di processo su silicio e caratterizzati da una densità di 1,3 µF/mm.
Si tratta di componenti destinati ai mercati dei dispositivi mobili e HPC (High Performance Computing). I bassissimi valori di ESL ed ESR (dell’ordine di pochi pH e mΩ rispettivamente) di questi condensatori permettono infatti di supportare l’incremento di prestazioni delle nuove reti PDN (Power Distribution Network) che richiedono bassi valori di impedenza in una banda di frequenza molto estesa.
Il profilo estremamente ridotto di questi condensatori, inferiore a 40 µm, consente ai progettisti di chip di integrare i condensatori in silicio nel package il più vicino possibile alla sezione attiva del chip, minimizzando il percorso effettivo della corrente e di conseguenza gli effetti parassiti.
Questi dispositivi di Murata soddisfano i requisiti di progetto di microprocessori e SoC (System-on-Chip) che richiedono reti capacitive a più terminali.