I nuovi circuiti integrati per stadi di potenza EcoGaN di ROHM

La serie di IC BM3G0xxMUV-LB , realizzata da ROHM,  integra HEMT GaN da 650 V ed è utilizzabile per gli alimentatori primari destinati ad applicazioni industriali e di consumo, come per esempio server dati e adattatori AC. Le peculiarità principali di questi componenti risiedono nell’integrazione dei gate driver e altre funzionalità, la notevole compattezza, che favorisce la miniaturizzazione delle applicazioni, e la perdita di potenza ridotta.

Il range della tensione di pilotaggio, che va da 2,5 V a 30 V, e le altre caratteristiche assicurano la compatibilità praticamente con qualsiasi circuito integrato per controller negli alimentatori primari, semplificando la sostituzione dei MOSFET al silicio esistenti (Super Junction). In tal modo diventa infatti possibile ridurre simultaneamente il volume dei componenti e la perdita di potenza, rispettivamente del 99% e del 55% circa, ottenendo una maggiore efficienza con dimensioni più ridotte.

Isaac Lin, Direttore Generale del PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center) di Delta Electronics, ha dichiarato: “I dispositivi GaN stanno attirando grande attenzione in vari settori in quanto contribuiscono in forte misura alla miniaturizzazione e ai risparmi energetici delle apparecchiature. I nuovi prodotti di ROHM coniugano alta velocità e pilotaggio del gate sicuro basandosi sulla tecnologia analogica originale di ROHM. Questi prodotti favoriranno ulteriormente l’uso di dispositivi di potenza GaN, dei quali si prevede la sempre maggiore diffusione”.

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