MOSFET a doppio canale per semplificare la progettazione di convertitori in discesa sincroni

Pubblicato il 6 settembre 2013

Advanced Power Electronics ha lanciato un MOSFET di potenza ad arricchimento a doppio canale N asimmetrico pensato per il progetto di convertitori CC/CC in discesa sincroni.

Realizzato in un compatto contenitore PMPAK3x3 quadrato da 3 mm, l’AP6950GYT consiste di un MOSFET di controllo “high-side” (CH-1) e di un MOSFET sincrono “low-side” (CH-2), offrendo una soluzione di dimensioni ridottissime ottimizzata per dispositivi in discesa sincroni. La tensione di rottura drain-source (BVDSS) è pari a 30 V per entrambi i canali, mentre la resistenza On è bassa: 18 mΩ (CH-1) e 10,5 mΩ (CH-2). I dispositivi sono non alogeni e a norma RoHS.



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