Gate driver ad alta frequenza da 100 V da Diodes Incorporated

Pubblicato il 28 gennaio 2022

Diodes Incorporated ha realizzato il gate driver high-side e low-side DGD0579U. Questo dispositivo ad alta frequenza, che ha un diodo di bootstrap integrato, è in grado di pilotare due MOSFET a canale N nelle configurazioni a mezzo ponte comunemente utilizzate per il controllo dei motori e le funzioni di power delivery CC-CC.

DGD0579U è destinato ad applicazioni ad alta potenza, come utensili elettrici senza fili, e-bike e apparecchiature robotizzate autonome, dove vi sono sempre maggiori richieste di efficienza più elevata e una notevole compattezza.
Tempi ridotti di propagation delay (tipicamente 60ns) e di delay matching (entro 10 ns) consentono di ottenere velocità di commutazione più elevate e tempi morti limitati.
I meccanismi di protezione dei MOSFET sono direttamente integrati nel dispositivo, migliorando l’affidabilità del sistema, ottimizzando l’utilizzo dello spazio sulla scheda e riducendo ulteriormente il numero di componenti rispetto alle tradizionali soluzioni discrete. Questi meccanismi includono la prevenzione della cross conduction, in modo che i MOSFET high-side e low-side non siano attivi contemporaneamente, e il blocco di sottotensione (UVLO) per affrontare potenziali perdite di alimentazione.
Compatibile con i segnali di controllo dei microcontrollori e dei circuiti integrati del controller PWM, DGD0579U supporta ingressi a livello logico TTL e CMOS (fino a 3,3 V).



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