GaNdalf : una nuova scheda per design di riferimento di stadi PFC

Pubblicato il 26 novembre 2018

Future Electronics ha presentato la piattaforma di sviluppo GaNdalf che si propone come un modello di riferimento per la progettazione di circuiti PFC (Power Factor Correction) ad alte prestazioni per carichi fino a 1 kW.

Nel progetto della scheda GaNdalf, Future Electronics ha implementato una topologia PFC di tipo totem pole bridgeless che, oltre a garantire un’elevata efficienza, fa ricorso a un numero ridotto di componenti.

La piattaforma utilizza componenti di potenza realizzati in nitruro di gallio (GaN) e un DSC (Digital Signal Controller) dual-core di ultima generazione di Microchip (un dsPIC33H).

Gli switch di potenza sono gli HEMT X-Gan di Panasonic, in grado di operare con tensioni di ingresso tra 85V AC e 265V AC). La scheda può raggiungere un fattore di potenza >0,98, mentre l’efficienza dello stadio PFC è migliore del 99% e la distorsione armonica totale (THD) è inferiore al 10%

La correzione del fattore di potenza è ampiamente utilizzata negli alimentatori AC-DC con potenza di ingresso superiore a 75W.

La scheda GaNdalf sarà disponibile per clienti qualificati nel primo trimestre del 2019.



Contenuti correlati

  • La correzione del fattore di potenza tramite controllo della modalità a corrente di picco

    Questo nuovo metodo di controllo in modalità a corrente di picco per PFC presenta numerosi vantaggi rispetto al tradizionale metodo di controllo in modalità a corrente media che verranno illustrati in questo articolo Leggi l’articolo completo su...

  • Analog Devices
    Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

    LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...

  • TEXAS INSTRUMENTS
    Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

    Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...

  • Renesas Electronics
    Renesas Electronics acquisirà Transphorm

    Renesas Electronics e Transphorm, produttore di semiconduttori di potenza GaN, hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale una controllata di Renesas acquisirà tutte le azioni ordinarie di Transphorm. La transazione valuta Transphorm...

  • Tecnologia EliteSiC M3S: la scelta migliore per le applicazioni di commutazione ad alta velocità

    In questo articolo saranno analizzati i risultati dei test di caratterizzazione dei dispositivi e delle simulazioni eseguite su convertitori con PFC (Power Factor Correction) trifase realizzati utilizzando due differenti MOSFET SiC in package TO247-4L Leggi l’articolo completo su...

  • Arrow Electronics
    Una nuova scheda di riferimento FPGA da Arrow Electronics

    Arrow Electronics ha rilasciato una scheda di riferimento FPGA per applicazioni industriali edge e TSN. Cyclone 10LP Refkit INDUSTRIAL è stato sviluppato in collaborazione con Trenz Electronic e può essere utilizzato per accelerare lo sviluppo di soluzioni...

  • TI
    TI espande la sua gamma di FET GaN

    Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...

  • Innoscience Technology
    Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

    Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...

  • CGD
    CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

    L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare...

  • COSEL
    Una nuova generazione di alimentatori ultracompatti da COSEL

    COSEL ha realizzato una nuova generazione di alimentatori estremamente compatti per applicazioni industriali, la serie TE. Utilizzando le tecnologie più avanzate, come i semiconduttori wide bandgap al nitruro di gallio (GaN), i trasformatori planari ad alta frequenza...

Scopri le novità scelte per te x