GaN Systems ha reso disponibile un documento tecnico che descrive l’applicazione di modelli Spice sviluppati per i dispositivi ad alta potenza e circuiti di pilotaggio GaN integrati nelle applicazioni automotive.
Allo stato attuale, i requisiti di pilotaggio del power train della maggior parte dei veicoli ibridi (HV) ed elettrici (EV) sono soddisfatti mediante dispositivi IGBT al silicio. In futuro la tecnologia del nitruro di gallio diventerà quella di riferimento, con transistor di potenza GaN in grado di fornire migliori prestazioni grazie a una RDSON inferiore e a minime perdite di commutazione rispetto ai semiconduttori al silicio.
I modelli Spice, termicamente avanzati, sono stati sviluppati per permettere a dispositivi GaN di eseguire simulazioni con driver GaN integrato, e dimostrare come i dispositivi di nitruro di gallio possono essere utilizzati in un intervallo di temperatura molto ampio e in ambienti caratterizzati da forti disturbi elettrici tipici delle applicazioni automotive.