Per aiutare i progettisti a risolvere la sfida connessa alla riduzione degli ingombri e al contemporaneo incremento dell’efficienza, Fairchild Semiconductor ha sviluppato il MOSFET PowerTrench FDMB2307NZ. Questo dispositivo assicura la superiore efficienza richiesta dagli apparecchi ultracompatti con un ingombro che consente di ridurre sensibilmente lo spazio occupato su scheda.
Progettato specificamente per i circuiti di protezione delle batterie al litio e altre applicazioni ultraportatili, il dispositivo FDMB2307NZ incorpora due MOSFET N-channel common drain che consentono il flusso bidirezionale della corrente.
Grazie all’uso di processi costruttivi avanzati PowerTrench, il dispositivo FDMB2307NZ fornisce un’alta densità di potenza e un valore Rss(on) massimo di 16,5 mΩ a VGS = 4,5 V e ID = 8 A, con conseguenti livelli contenuti di perdite di conduzione, caduta di tensione e dissipazione di corrente accompagnati da una superiore efficienza progettuale rispetto alle soluzioni concorrenti. Il dispositivo FDMB2307NZ presenta anche eccellenti caratteristiche termiche che si traducono in inferiori temperature operative, a tutto vantaggio dell’efficienza.
Il package 2×3 mm2 MicroFET utilizzato fornisce ai progettisti una delle soluzioni MLP più compatte attualmente disponibili, caratterizzata da ingombri inferiori del 40% rispetto alle soluzioni concorrenti, consentendo di ottenere un sostanziale risparmio dello spazio occupato su scheda. Conforme allo standard RoHS, il dispositivo incorpora anche protezioni ESD tipo HBM per valori superiori a 2 kV.
Integrando sofisticate tecnologie di circuito in sofisticati package compatti, Fairchild Semiconductor fornisce vantaggi significativi agli utenti di apparecchi mobili riducendo al contempo dimensioni, costi e consumi dei dispositivi. Le tecnologie per applicazioni mobili di Fairchild sono presenti nella maggior parte dei sistemi portatili attualmente in commercio.