Fairchild Semiconductor: Mosfet PowerTrench da 60 V con basse perdite di conduzione e commutazione

Pubblicato il 24 maggio 2011

Fairchild Semiconductor ha sviluppato il Mosfet PowerTrench N-Channel FDMS86500L, progettato per minimizzare le perdite di conduzione e il “ringing” dei nodi dello switch migliorando contemporaneamente l’efficienza complessiva dei convertitori DC-DC.

Grazie a una sofisticata combinazione di package e configurazione del circuito, il dispositivo FDMS86500L assicura un valore di RDS(ON) significativamente contenuto (2,5 mΩ con VGS = 10 V e ID = 25 A), riducendo le perdite di conduzione mediante un package standard Power 56 da 5 x 6 mm.

FDMS86500L utilizza una tecnologia Mosfet con gate schermato che garantisce inoltre perdite di commutazione particolarmente ridotte (Qgd 14,6 nC tipico) che, unitamente alle basse perdite di conduzione, assicurano ai progettisti la superiore densità di potenza desiderata.

Vanta una FOM ottimizzata (RDS(ON) * QG), che si traduce in alti livelli di efficienza e bassa dissipazione di potenza in linea con i nuovi standard e le nuove norme in materia di efficienza energetica. Tra le altre peculiarità figurano un sofisticato diodo integrato di nuova generazione progettato per il soft recovery, un efficace design del package MSL1, la compatibilità UIL 100% e la compatibilità RoHS.

Il dispositivo FDMS86500L è il primo componente del portafoglio di nuovi Mosfet da 60 V sviluppati da Fairchild, la cui introduzione amplia ulteriormente l’offerta di Mosfet a media tensione della società.



Contenuti correlati

Scopri le novità scelte per te x