Fairchild Semiconductor e Infineon Technologies stringono accordo di licenza per l’automotive

Fairchild Semiconductor e Infineon Technologies hanno raggiunto un accordo di licenza sulla tecnologia H-PSOF per i package TO-Leadless dei MOSFET destinati ad applicazioni automotive

Pubblicato il 3 maggio 2012

Fairchild Semiconductor e Infineon Technologies hanno siglato un accordo di licenza relativo alla tecnologia H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead) per il packaging di MOSFET destinati al settore automotive conforme allo standard Jedec TO-Leadless (TO-LL) (MO-299).

Il package è stato studiato per applicazioni automotive a elevata corrente come la gestione della batteria nei veicoli ibridi, i servosterzi Electric Power Steering (EPS), gli alternatori attivi e altri sistemi elettrici funzionanti con carichi elevati.

Il package TO-Leadless è tra i primi a supportare correnti fino a 300 A offrendo vantaggi in termini di spazio impegnato su scheda con il 20% di superficie e il 50% di altezza in meno rispetto al package D2PAK. L’accordo consente inoltre di portare sul mercato automotive una soluzione comune sui MOSFET TO-Leadless riducendo i rischi legati a un unico fornitore.

Fairchild Semiconductor utilizzerà la tecnologia TO-Leadless con le più recenti serie di MOSFET e prevede di rendere disponibili le prime campionature di MOSFET in package TO-Leadless nella seconda metà del 2012 e i dispositivi di produzione verso la metà del 2013.



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