EPC presenta un progetto di riferimento per un caricatore GaN da 240W USB PD3.1

EPC ha annunciato la disponibilità della scheda di valutazione EPC9171 un alimentatore completo con ingresso universale in alternata da 90 V – 260 V e uscita in continua da 15 V – 48 V, per realizzare caricatori ultraveloci conformi alle specifiche USB PD3.1. Questo progetto di riferimento può erogare 240 W di potenza massima con tensione di 48 V e corrente di carico di 5 A. L’elevata densità di potenza di circa 1,1 W/cm3 viene ottenuta grazie all’utilizzo di switch di potenza al nitruro di gallio (GaN), che lavorano ad alta frequenza di commutazione, sia nel circuito primario che in quello secondario.

La topologia di conversione utilizzata nel progetto della scheda EPC9171 comprende uno stadio di correzione del fattore di potenza (PFC), un convertitore boost a due fasi interlacciato e uno stadio di potenza risonante LCC isolato.

La soluzione GaN commuta a una frequenza da due a tre volte più alta rispetto alle soluzioni standard con transistor MOSFET in silicio, il che permette di ottenere una densità di potenza molto elevata.

Con una potenza di 240 W, questa soluzione può essere utilizzata non solo per la ricarica USB ultra-veloce di laptop, notebook e smartphone, ma può anche estendere la ricarica USB ad altre applicazioni come PC da gioco, eBike ed eScooter.

Contenuti correlati

• 
  TI espande la sua gamma di FET GaN

  Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...
• 
  Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

  Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...
• 
  EPC: nuovo reference design per inverter GaN-based

  EPC ha annunciato la disponibilità del progetto di riferimento GaN-based di inverter per motori BLDC trifase EPC9194. L’inverter può essere alimentato con una tensione di ingresso compresa tra 14 V e 60 V ed eroga una corrente...
• 
  CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

  L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare...
• 
  Una nuova generazione di alimentatori ultracompatti da COSEL

  COSEL ha realizzato una nuova generazione di alimentatori estremamente compatti per applicazioni industriali, la serie TE. Utilizzando le tecnologie più avanzate, come i semiconduttori wide bandgap al nitruro di gallio (GaN), i trasformatori planari ad alta frequenza...
• 
  Riconoscimento alla Innovation Zone europea di TSMC per gli HEMT ICeGaN di CGD

  Il SoC HEMT GaN ICeGaN di Cambridge GaN Devices (CGD) ha ottenuto il riconoscimento “Miglior demo” alla Innovation Zone del 2023 Europe Technology Symposium di TSMC. CGD evidenzia che il suo ICeGaN , che è ora nella...
• 
  Innoscience ha venduto oltre 300 milioni di chip InnoGaN

  Innoscience Technology ha annunciato di aver spedito oltre 300 milioni di chip InnoGan al nitruro di gallio fino ad agosto 2023. L’azienda ha infatti aumentato le vendite di dispositivi GaN del 500% anno su anno, a fronte...
• 
  Allegro MicroSystems presenta un nuovo gate driver isolato ottimizzato per FET GaN

  Allegro MicroSystems ha annunciato AHV85110, un nuovo gate driver isolato ottimizzato per pilotare FET GaN (nitruro di gallio). Questo IC è il primo prodotto del portafoglio Power-Thru dell’azienda e offre diversi vantaggi fra cui un ingombro ridotto,...
• 
  Da EPC un reference design con FET GaN

  EPC9186 è una scheda che ospita un reference design di EPC per un inverter per motori BLDC trifase che utilizza i transistor FET eGaN EPC2302. La configurazione dell’inverter EPC9186 prevede infatti l’utilizzo di quattro transistor FET EPC2302...
• 
  Tektronix annuncia una funzione di Double Pulse Test per accelerare i tempi di validazione di tecnologie SiC e GaN

  Tektronix ha rilasciato una nuova versione del pacchetto software relativo alla funzione Double Pulse Test (soluzione WBG-DPT). Questa soluzione è in grado di fornire misurazioni automatizzate, ripetibili e accurate sui dispositivi in tecnologia wide bandgap, come i...