International Rectifier, presente a electronica 2014 (Padiglione A5, Stand 320), ha ampliato la sua gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) con l’introduzione di una famiglia di robusti e affidabili dispositivi da 650V, ottimizzati per la commutazione ad alta velocità, che si rivelano particolarmente adatti per applicazioni nel campo degli inverter solari, saldatrici elettriche, azionamenti industriali, riscaldamento a induzione e gruppi di continuità (UPS).
Con una corrente nominale disponibile in valori da 15 A a 90 A, la famiglia di IGBT IRGP47xx sfrutta la tecnologia dei wafer sottili per ridurre le perdite di conduzione e di commutazione migliorando l’efficienza energetica del sistema.
Disponibili sotto forma di dispositivi discreti o inseriti nello stesso contenitore con un diodo di recupero dolce a basso Qrr, questi nuovi IGBT sono ottimizzati per funzionare a frequenze di commutazione elevatissime (8 kHz-30 kHz), con una durata del corto-circuito sopportato estesa a 6 µs e coefficiente di temperatura positivo della tensione VCE(ON) per facilitarne il collegamento in parallelo.
La tensione di rottura più elevata offre un’ancor maggiore affidabilità per sopportare condizioni metereologiche estreme e instabilità sulla linea di alimentazione elettrica, eliminando la necessità di inserire dispositivi di soppressione dei transitori di tensione.
Adatta per una vasta gamma di frequenze di commutazione, la famiglia di dispositivi IRGP47xx ha una bassa tensione VCE(ON) di 1,7V (tipica) a 100°C e una bassa energia totale di commutazione (ETS), che riduce la dissipazione di potenza. Offerta sotto forma si componenti inseriti in un contenitore, ha tra le altre caratteristiche una temperatura di giunzione massima di 175°C e un basso livello di EMI che ne migliora l’affidabilità.