electronica 2014 – International Rectifier

Pubblicato il 4 novembre 2014

International Rectifier, presente a electronica 2014 (Padiglione A5, Stand 320), ha ampliato la sua gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) con l’introduzione di una famiglia di robusti e affidabili dispositivi da 650V, ottimizzati per la commutazione ad alta velocità, che si rivelano particolarmente adatti per applicazioni nel campo degli inverter solari, saldatrici elettriche, azionamenti industriali, riscaldamento a induzione e gruppi di continuità (UPS).

Con una corrente nominale disponibile in valori da 15 A a 90 A, la famiglia di IGBT IRGP47xx sfrutta la tecnologia dei wafer sottili per ridurre le perdite di conduzione e di commutazione migliorando l’efficienza energetica del sistema.

Disponibili sotto forma di dispositivi discreti o inseriti nello stesso contenitore con un diodo di recupero dolce a basso Qrr, questi nuovi IGBT sono ottimizzati per funzionare a frequenze di commutazione elevatissime (8 kHz-30 kHz), con una durata del corto-circuito sopportato estesa a 6 µs e coefficiente di temperatura positivo della tensione VCE(ON) per facilitarne il collegamento in parallelo.

La tensione di rottura più elevata offre un’ancor maggiore affidabilità per sopportare condizioni metereologiche estreme e instabilità sulla linea di alimentazione elettrica, eliminando la necessità di inserire dispositivi di soppressione dei transitori di tensione.

Adatta per una vasta gamma di frequenze di commutazione, la famiglia di dispositivi IRGP47xx ha una bassa tensione VCE(ON)  di 1,7V (tipica) a 100°C e una bassa energia totale di commutazione (ETS), che riduce la dissipazione di potenza. Offerta sotto forma si componenti inseriti in un contenitore, ha tra le altre caratteristiche una temperatura di giunzione massima di 175°C e un basso livello di EMI che ne migliora l’affidabilità.

pb



Contenuti correlati

  • I nuovi IPM con IGBT da 600 V di ROHM

    ROHM ha sviluppato quattro nuovi moduli di potenza intelligenti (IPM) con IGBT da 600 V, appartenenti alla serie BM6437x, caratterizzati da bassa rumorosità e perdite limitate. I dispositivi trovano utilizzo nelle apparecchiature industriali compatte, quali piccoli motori...

  • Come semplificare lo sviluppo di soluzioni più efficienti per gli azionamenti per motori

    In un’economia caratterizzata da un elevato tasso di industrializzazione, l’automazione riveste un ruolo critico. In qualità sia di consumatori sia di produttori, siamo sicuramente più consapevoli dell’impatto che un tale livello di automazione può avere sull’ambiente. Poichè...

  • Da Toshiba un nuovo IGBT da 1350 V per gli elettrodomestici

    Toshiba Electronics Europe ha presentato un nuovo IGBT discreto da 1350 V per l’uso in applicazioni come gli elettrodomestici che sfruttano il riscaldamento a induzione, per esempio fornelli e forni a microonde. Siglato GT20N135SRA, il nuovo IGBT...

  • ON Semiconductor amplia l’offerta di IGBT e gate driver

    ON Semiconductor ha recentemente presentato un nuovo IGBT ibrido basato su carburo di silicio (SiC) e una serie di nuovi gate driver. Il modello AFGHL50T65SQDC è formato da un IGBT realizzato con la più recente tecnologia Field-Stop...

  • ROHM aggiunge quattro modelli alla linea di IGBT a 1200 V per automotive

    ROHM ha recentemente ha ampliato la sua offerta di IGBT per il settore automotive con quattro nuovi modelli a 1200V. La nuova Serie RGS è conforme allo standard AEC-Q101, in entrambe le varianti a 1200 V e...

  • Il Power Lab di ROHM assiste i progetti con componenti di potenza

    Il “Power Lab”, un nuovo laboratorio europeo di 300 metri quadrati di superficie, dedicato all’analisi dei componenti e sistemi di potenza, è stato ufficialmente presentato i primi di febbraio da ROHM Semiconductor nella sede tedesca di Willich,...

  • AOS: IGBT intelligenti a 600V

    Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha annunciato i nuovi moduli IGBT intelligenti della serie IPM5 ottimizzati dal punto di vista dell’efficienza e della resistenza. IPM5 è un sistema basato sulla tecnologia AlphaIGBT e utilizza degli IC multifunzione...

  • Infineon: nuovi moduli IGBT in package 62 millimetri

    Infineon Technologies ha annunciato nuovi moduli IGBT in package da 62 mm. Questi moduli permettono di rispondere alle esigenze legate alla crescente domanda di una maggiore densità di potenza. Le applicazioni tipiche per i moduli con una...

  • Murata: DC-DC converter per pilotaggio transistor IGBT, SiC e MOSFET

    Murata ha ampliato la propria famiglia MGJ6, formata da convertitori DC-DC isolati da 6W a uscita doppia, con  nuovi modelli. Ottimizzati per l’uso con i valori di tensione bipolari richieste per alimentare i gate drive “high/low side” che...

  • Littelfuse acquisizione linee di prodotti di potenza di ON Semiconductor

    Littelfuse ha comunicato di aver stipulato un accordo per l’acquisizione di di un portafoglio prodotti riguardante diodi soppressori delle tensioni transitorie (TVS), tiristori di commutazione e transistor bipolari a gate isolati (IGBT) per l’accensione di automobili da...

Scopri le novità scelte per te x