Due nuovi MOSFET di potenza a canale N da Toshiba

Pubblicato il 14 maggio 2018

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza a canale N per applicazioni automotive con due nuovi prodotti ospitati in un compatto (5×6 mm) package di tipo SOP Advance (WF) a bassa resistenza.

TPHR7904PB e il TPH1R104PB sono qualificati in base allo standard AEC-Q101 e sono utilizzabili per numerose applicazioni automotive tra cui servosterzi elettrici (EPS), i sezionatori di carico, le pompe elettriche, i ventilatori e altre.

Per le principali caratteristiche tecniche, i nuovi MOSFET forniscono una resistenza di on (RDS(ON)) di 0,79mΩ max con VGS = 10V, riducendo così le perdite di conduzione. I dispositivi sono caratterizzati da una tensione Drain-Source (VDSS) di 40V e sono in grado di gestire correnti di drain (ID) fino a 150 A DC.

Il processo produttivo è quello più recente trench U-MOS IX-H di nona generazione.

Il package SOP Advance (WF) impiega una struttura che consente il controllo visivo automatizzato dei giunti di saldatura sui circuiti stampati, un requisito fondamentale per la conformità alla qualità automotive.



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