La conclusione a cui giunge un nuovo report della società di ricerca e di analisi IHS è che i produttori di DRAM che non passeranno rapidamente a processi a 3x/2x nm per realizzare i loro componenti rischiano forti perdite entro un periodo relativamente breve. Questo è quanto potrebbe accadere almeno nel segmento delle DDR3 da 2 Gb, che è quello più ampio.
Le proiezioni relative all’average selling price di questi componenti per il IV trimestre lo stimano in 1,25 dollari e se si considera che il costo cash per die di memoria packaged da 2 Gb di DDR3 realizzati a 31 nm è di 0,68 dollari e quello per componenti a 48 nm è di 1,34 dollari, l’allarme di IHS sulle possibili perdite di alcune aziende sembra essere pienamente giustificato.
Tra i principali produttori di memorie DRAM che utilizzano processi a 3x/2x nm ci sono Samsung, con il 29% dei componenti, ma anche Hynix Semiconductor con 18% di DRAM prodotta a 3x/2x nm e Elpida che arriva al 16%. Samsung, inoltre, prevede di passare all’80% di wafer realizzati a 3.x nm per la fine del 2012.
Gli altri competitor, come per esempio Micron e Nanya per restare competitivi dovrebbero quindi passare rapidamente a processi produttivi più avanzati.