DRAM e Flash integrati per i modem 5G statici

Pubblicato il 11 luglio 2019

Winbond Electronics Corporation ha recentemente annunciato la disponibilità di nuova memoria LPDDR4X e Flash NAND 2Gb+2Gb a 1.8V in un package multi chip (MCP) compatto da 8×9,5x 0,8 mm.

Il nuovo prodotto è il modello W71NW20KK1K e riunisce memorie Flash NAND SLC e memorie LPDDR4X a basso consumo e alta velocità, una combinazioni molto interessante per i produttori di modem 5G da utilizzare come Customer Premises Equipment (CPE) in uffici e abitazioni.

Le comunicazioni 5G sono viste da molti, infatti, come una possibile alternativa alle linee fisse o a collegamenti xDSL ottici nell’ultimo miglio di reti a banda larga ad alta velocità.

Fisicamente W71NW20KK1KW è un MCP Ball Grid Array (BGA) formato da un die NAND Flash SLC da 2Gb e un die DRAM LPDDR4X da 2Gb.

Il die DRAM LPDDR4x, che opera alla frequenza di 1866MHz, è dotato di un’interfaccia LVSTL_11 e presenta otto bank interni per le operazioni in contemporanea. Offre una velocità di dati fino a 4267MT/s, supportando le velocità di trasferimento dati più alte messe a disposizione dalle reti cellulari 5G.

Le specifiche relative alle prestazioni del die NAND includono un tempo di lettura di pagina massimo di 25µs e un tempo di programmazione di pagina tipico di 250µs.



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