Con la serie SMFA di diodi TVS asimmetrici di Littelfuse, Rutronik sta introducendo una soluzione utilizzabile per ottenere una maggiore resilienza dei gate driver dei MOSFET SiC. Questi diodi infatti sono stati specificamente progettati per proteggere le sensibili strutture del gate da sovratensioni sia negative che positive e possono quindi essere utilizzati come sostituti di due diodi TVS separati. I MOSFET SiC hanno in genere una tensione di gate negativa significativamente inferiore a quella positiva. Pertanto, in precedenza era richiesta una protezione asimmetrica con due diodi TVS separati, che occupavano più spazio. Per rispondere a questa esigenza, Littelfuse ha realizzato il diodo TVS bidirezionale asimmetrico integrato tipo SMFA.
Questi componenti sono particolarmente adatti per applicazioni SiC fast-switching nel campo dell’alimentazione per AI e data center, apparecchiature semiconduttori e industriali o anche per infrastrutture di mobilità elettrica.
I nuovi diodi soddisfano i requisiti della norma IEC 61000-4-2 a 30 kV in aria e 30 kV in scarica a contatto, nonché quelli della classe di infiammabilità UL94 V-0.
A seconda della tensione di gate massima richiesta, vengono offerti vari tipi con tensioni di rottura positive (VBR) comprese tra 17,6 V e 23,4 V. La tensione di rottura negativa è di 7,15 V in ogni caso.