Diodes ha aggiunto all sua offerta di diodi Schottky SiC da 650 V una nuova serie di cinque modelli. Con correnti nominali di 4 A, 6 A, 8 A, 10 A e 12 A, la serie DSCxxA065LP utilizza il package T-DFN8080-4 ad alta efficienza termica ed è progettata per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza, come la conversione CC-CC e CA-CC, le energie rinnovabili, i data center (in particolare quelli che elaborano carichi di lavoro per applicazioni di intelligenza artificiale) e gli azionamenti per motori industriali.
Diodes sottolinea che questi componenti SiC ad alte prestazioni sono caratterizzati da perdite di commutazione trascurabili e una bassa dispersione inversa (IR), pari a 20 µA (max). Ciò riduce al minimo la dissipazione del calore e le perdite di conduzione, migliorando la stabilità e l’affidabilità del sistema, in particolare rispetto ai dispositivi Schottky al silicio. Questa riduzione della dissipazione del calore riduce anche i costi di raffreddamento e le spese operative.
Il package T-DFN8080-4 compatto e a basso profilo per montaggio superficiale incorpora un ampio pad riscaldante inferiore che riduce la resistenza termica. Richiedendo meno spazio sulla scheda e offrendo un pad più grande, il package T-DFN8080-4 è un’alternativa interessante al TO252 (DPAK). Questo vantaggio si traduce in una maggiore densità di potenza, una riduzione delle dimensioni complessive della soluzione e una riduzione del budget per il raffreddamento.