Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa.
Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi modelli da 40 V a 80 V. Tutti i dispositivi da 8×8 mm con terminali di tipo gullwing-leaded sono progettati per minimizzare le perdite di conduzione, ridurre la generazione di calore e massimizzare l’efficienza complessiva.
Il dispositivo da 100 V è siglato DMTH10H1M7SPGWQ ed è utilizzabile negli azionamenti per motori BLDC da 48 V utilizzati nei sistemi di servosterzo e frenatura. Altre applicazioni ad alta potenza includono interruttori di disconnessione della batteria e caricabatterie di bordo (OBC).
Il modello DMTH4M40SPGWQ da 40 V, invece, presenta una resistenza RDS(ON) massima di 0,4 mΩ, adatta per motori BLDC da 12 V e applicazioni DC-DC. Il Mosfet DMTH4M40LPGWQ, con tensione nominale di 40 V, offre una resistenza RDS(ON) di 0,64 mΩ a una tensione gate-source (VGS) di 4,5 V, ed è utilizzabile per applicazioni automotive a bassa tensione, controllate da microcontrollori, come attuatori/controlli ventola e interruttori di carico, senza compromettere le perdite in conduzione. Il modello DMTH6M70SPGWQ, con tensione nominale di 60 V, offre invece prestazioni elevate per applicazioni a 24 V.
Diodes precisa che il package PowerDI8080-5 ha un ingombro su PCB di 64 mm², circa il 40% dell’area occupata dal precedente package TO-263 (D2PAK), e un profilo esterno di 1,7 mm, risultando interessante per applicazioni con ingombro ridotto. Inoltre, il die bonding con clip in rame riduce la resistenza termica (RthJC) fino a 0,3 °C/W, consentendo correnti di drain fino a 847 A senza rischio di danni.