Da Toshiba un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V

Toshiba Electronics Europe ha annunciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V che utilizza il processo U-MOSX-H di ultima generazione per ridurre significativamente le perdite. Tra le altre caratteristiche di questo nuovo componente c’è la riduzione dei picchi di tensione tra drain e source in fase di commutazione, con un conseguente miglioramento delle prestazioni EMI negli alimentatori switching.

Il nuovo MOSFET TPH9R00CQH presenta una RDS(ON) molto bassa, pari a 9,0mΩ (max. @ VGS=10V). Le caratteristiche di carica, inoltre, sono state migliorate attraverso un’attenta ottimizzazione della struttura del dispositivo. Con una carica totale di gate (Qg) di 44nC e una carica immagazzinata nel gate (QSW) di 11,7nC, il dispositivo offre prestazioni elevate, soprattutto nelle applicazioni ad alta velocità.

Il nuovo dispositivo si presta per un’ampia gamma di applicazioni, che includono gli alimentatori a commutazione all’interno di apparecchiature industriali, comprese le applicazioni nelle stazioni base per le comunicazioni e nei data center.

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