Rutronik offre la serie CoolGaN Drive HB 600 V G5 di Infineon. Si tratta di una soluzione di potenza GaN half-bridge altamente integrata destinata alla realizzazione di sistemi ad alta densità di potenza ed efficienza energetica in applicazioni consumer, industriali e per veicoli elettrici leggeri.
CoolGaN Drive HB 600 V G5 integra due transistor CoolGaN da 600 V G5 con un gate driver high-side/low-side on-chip, comprensivo di traslatore di livello e diodo bootstrap. Rutronik sottolinea che questo elevato livello di integrazione riduce significativamente la necessità di componenti esterni, semplifica il layout del PCB e supporta un’integrazione di sistema rapida e riproducibile.
Il dispositivo è ospitato in un package TFLGA-27 compatto (6×8 mm), che consente di ottenere un’elevata densità di potenza riducendo al minimo lo spazio sulla scheda. Il driver integrato supporta il sistema di controllo PWM e il controllo dv/dt regolabile, consentendo ai progettisti di ottimizzare il comportamento di commutazione e le prestazioni EMC.
CoolGaN Drive HB 600 V G5 è particolarmente adatto per realizzare convertitori di potenza ad alta frequenza e alta efficienza. Il gate driver integrato funziona con una singola alimentazione a 12 V e offre un rapido recupero UVLO, supportando un funzionamento stabile anche in condizioni di carico dinamico.
La famiglia di dispositivi, inoltre, è certificata JEDEC e progettata per l’uso in ambienti difficili. Le applicazioni tipiche includono veicoli elettrici di consumo, industriali e leggeri, dove elevata efficienza, fattori di forma compatti e tempi di commercializzazione rapidi sono requisiti fondamentali.