Da ROHM IGBT ibridi con diodo SiC integrato

Pubblicato il 20 luglio 2021

ROHM  ha realizzato la serie RGWxx65C (i modelli sono siglati rispettivamente RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo Schottky SiC da 650 V integrato.

I dispositivi sono conformi allo standard AEC-Q101 per il settore automotive e sono utilizzabili per applicazioni automotive ed industriali che gestiscono elevate potenze, come convertitori di potenza per il settore fotovoltaico, OBC (on board chargers) e convertitori DC/DC usati sui veicoli elettrici e ibridi (xEV).

La serie RGWxx65C impiega i diodi Schottky SiC a basse perdite di ROHM come diodo di free wheeling dell’IGBT, che presenta un’energia di recupero pressoché nulla e di conseguenza una perdita di commutazione minima del diodo. Inoltre, dal momento che la corrente di recovery non deve essere gestita dall’IGBT all’accensione, la perdita di turn-on dell’IGBT viene significativamente ridotta. Entrambi gli effetti sommati danno come risultato una perdita inferiore fino del 67% rispetto agli IGBT con diodo convenzionale e fino al 24% rispetto ai MOSFET Super Junction (SJ MOSFET) quando vengono usati nei caricabatteria dei veicoli.



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