Ampleon ha annunciato BLM0910H9LS600 LDMOS, un transistor da 600 Watt realizzato con il suo più recente processo produttivo LDMOS Gen9HV 50V.
Questo transistor è stato progettato per l’uso in applicazioni RF per riscaldamento industriale a onda continua (CW) nella banda ISM da 900 a 930 MHz.
Il package utilizzato è di tipo ceramico SOT502 che assicura un ingombro ridotto, mentre l’efficienza operativa è tipicamente superiore al 68%.
Utilizzando due di questi transistor da 600 Watt è possibile realizzare un amplificatore di potenza RF da 1,2 kW che occupa lo stesso spazio di un dispositivo con package di tipo SOT539.
Dal punto di vista delle prestazioni, il guadagno di questo transistor è di 19,8 dB, misurato con un VDS di 50 V in un’applicazione CW di classe 915 MHz AB.
BLF0910H9LS600 ha inoltre una protezione ESD integrata e un input matching interno, caratteristiche che permettono di semplificare il design.