Da Alpha e Omega Semiconductor nuovi MOSFET di potenza con tecnologia Shield Gate

Pubblicato il 3 dicembre 2021

Alpha e Omega Semiconductor ha annunciato un nuovo MOSFET di potenza da 80 V che utilizza la tecnologia brevettata Shield Gate, ottimizzata per frequenze di commutazione più elevate utilizzate nelle telecomunicazioni e nell’alimentazione dei server per ottenere una maggiore efficienza rispetto alla generazione precedente.

I miglioramenti delle prestazioni si traducono in scelte progettuali più semplici per applicazioni ad alta efficienza. La famiglia di dispositivi MOSFET da 80 V offre elevati livelli di densità di potenza ed efficienza energetica, essenziali nelle applicazioni per l’energia solare, di alimentazione e di alimentazione a batteria come negli eScooter.
AONR66820 e AONS66811 sono MOSFET di potenza in package DFN3.3×3.3 e DFN 5×6, rispettivamente. AONR66820 è adatto per convertitori CC-CC isolati utilizzati nelle applicazioni di telecomunicazione. AONS66811 è idoneo per la rettifica sincrona e fornisce una maggiore efficienza e una maggiore robustezza all’alimentatore.
AOTL66810 (80 V) nel package TOLL, invece, ha un ingombro inferiore di circa il 25% rispetto a un package TO-263 (D2PAK). Questo nuovo dispositivo offre una densità di potenza maggiore rispetto alle soluzioni esistenti. È adatto per applicazioni di motori BLDC industriali e gestione della batteria per ridurre il numero di MOSFET in parallelo.



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