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Cree: soluzione SiC MOSFET di seconda generazione garantisce notevole risparmio di costi per i sistemi di conversione di potenza

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 26 marzo 2013

Cree ha annunciato il lancio del SiC MOSFET di seconda generazione che permette ai sistemi di avere una maggiore efficienza e una dimensione minore, a parità di costo con soluzioni basate sul silicio. Questi nuovi MOSFET 1200V offrono elevate prestazioni in termini di densità di potenza ed efficienza di commutazione, a metà del costo per ampere dei MOSFET Cree di generazione precedente. Con questo rapporto prezzo-prestazioni, i nuovi dispositivi consentono ai produttori di apparecchiature di raggiungere costi di sistema inferiori e forniscono ulteriori risparmi per l’utente finale, attraverso una maggiore efficienza e minori investimenti per l’installazione, grazie alle dimensioni e al peso inferiore delle soluzioni basate sul carburo di silicio.

Le prestazioni superiori di questi nuovi SiC MOSFET consentono la riduzione delle correnti del 50-70% in alcune applicazioni ad alta potenza. Se correttamente ottimizzati, i clienti potranno godere dei vantaggi offerti dalle prestazioni del SiC a costi di sistemi uguali o inferiori rispetto alle soluzioni in silicio precedenti. Per gli inverter fotovoltaici e per i gruppi statici di continuità (UPS), il miglioramento dell’efficienza è accompagnato da riduzioni delle dimensioni e del peso. Nelle applicazioni di controllo motore, la densità di potenza può essere raddoppiata, mentre si aumenta l’efficienza e si fornisce fino a due volte la coppia massima disponibile con soluzioni al silicio di potenza simile. La gamma di offerta di prodotti è stata ampliata per includere un “die” piu’ grande da 25 mOhm, destinato al mercato dei moduli di potenza superiore (oltre i 30 kW). Il dispositivo da 80 mOhm è invece un aggiornamento dal costo inferiore e con migliori prestazioni rispetto al MOSFET di prima generazione.

I die sono disponibili con valori di 25 mOhm, inteso come blocco funzionale di 50 A per moduli ad alta potenza, e di 80 mOhm. Il MOSFET da 80 mOhm in package To-247 è inteso come un dispositivo con prestazioni superiori e costi inferiori del CMF20120D Cree di prima generazione.

Per maggiori informazioni: www.cree.com/power

A cura della redazione

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