Come parte della sua strategia di crescita a lungo termine, Cree ha annunciato che investirà fino a un miliardo di dollari nell’espansione delle sue capacità produttive relative alla tecnologia al carburo di silicio con lo sviluppo di uno impianto automatizzato di produzione di wafer da 200 mm e una mega fabbrica presso la sede del suo campus americano a Durham, NC.
Per la precisione, saranno investiti 450 milioni di dollari per la “North Fab”, altri 450 milioni di dollari serviranno per la fabbrica nei pressi del campus, mentre i rimanenti 100 milioni di dollari saranno utilizzati per investimenti associati alla crescita del business.
Quello annunciato rappresenta il più grande investimento della società fino ad oggi per rifornire i suoi business relativi a Wolfspeed e GaN on silicon carbide, una mossa strategica importante anche in considerazione che la domanda di carburo di silicio ha superato da tempo la disponibilità di questo materiale.
Dopo il completamento, previsto per il 2024, le strutture aumenteranno notevolmente la capacità di produzione dei materiali in carburo di silicio della società e la capacità di fabbricazione dei wafer, consentendo la realizzazione di soluzioni wide bandgap che consentiranno sensibili cambiamenti tecnologici nel settore automobilistico, delle comunicazioni e industriale.