IQE, fornitore di wafer e materiali semiconduttori compound avanzati, e Tower Semiconductor hanno siglato un accordo pluriennale per la fornitura di epiwafer di InP (fosfuro di indio) destinati alle soluzioni di connettività ottica per le infrastrutture di data center e AI.
La collaborazione tra le due aziende comprende la tecnologia per la produzione di transceiver pluggable a 200 Gbps/lane e la prototipazione di modulatori di nuova generazione a 400 Gbps/lane, nonché altre applicazioni critiche, tra cui gli switch a circuito ottico per l’implementazione nei data center.
Jutta Meier, amministratore delegato di IQE, ha commentato: “Sono lieta di proseguire la collaborazione con Tower, già leader nel settore della fotonica al silicio. Questo accordo rafforza la posizione di IQE nei mercati globali Tier 1 per il cloud hyperscale e le infrastrutture di intelligenza artificiale. Grazie a decenni di esperienza nell’InP epitaxy e a una consolidata capacità produttiva ad alto volume, IQE è pronta a supportare le applicazioni di connettività ottica di nuova generazione, accompagnandole dalla fase di innovazione alla commercializzazione.”
Marco Racanelli, presidente di Tower Semiconductor, ha dichiarato: “Siamo lieti di collaborare con IQE come fornitore chiave per le nostre tecnologie fotoniche di nuova generazione, che integrano componenti InP ad alte prestazioni alla nostra piattaforma di fotonica al silicio matura e ad alto volume. Questa combinazione consentirà di realizzare prodotti in grado di offrire sia le prestazioni che gli elevati volumi necessari per scalare la capacità delle future infrastrutture di Intelligenza Artificiale.”