Infineon Technologies e ROHM hanno firmato un memorandum d’intesa (MoU) per una collaborazione focalizzata sui package per semiconduttori di potenza SiC.
In particolare, le due aziende intendono operare reciprocamente come second source per i package selezionati da utilizzare per i dispositivi di potenza in SiC. Questa iniziativa, sottolineano i produttori, permetterà di aumentare la flessibilità di progettazione e approvvigionamento per i loro clienti. La collaborazione garantirà infatti la completa compatibilità e intercambiabilità per soddisfare le specifiche esigenze dei clienti che, in futuro, potranno acquistare dispositivi con housing compatibili sia da Infineon che da ROHM.
Infineon ha precisato inoltre che utilizzerà il package DOT-247 di ROHM con configurazione half-bridge SiC per sviluppare un package compatibile. Ciò amplierà il portafoglio di IGBT Double TO-247 recentemente annunciato da Infineon, includendo soluzioni half-bridge SiC.
“Siamo entusiasti di collaborare con ROHM per accelerare ulteriormente l’adozione degli switch di potenza SiC”, ha dichiarato il Dott. Peter Wawer, Presidente della Divisione Green Industrial Power di Infineon. “La nostra collaborazione offrirà ai clienti una gamma più ampia di opzioni e una maggiore flessibilità nei processi di progettazione e approvvigionamento, consentendo loro di sviluppare applicazioni più efficienti dal punto di vista energetico che favoriranno ulteriormente la decarbonizzazione”.
“ROHM si impegna a fornire ai clienti le migliori soluzioni possibili. La nostra collaborazione con Infineon costituisce un passo significativo verso la realizzazione di questo obiettivo, poiché amplia il portafoglio di soluzioni”, ha affermato il Dott. Kazuhide Ino, Membro del Consiglio di Amministrazione, Amministratore Delegato e Responsabile della Divisione Dispositivi di Potenza di ROHM. “Lavorando insieme, possiamo promuovere l’innovazione, ridurre la complessità e aumentare la soddisfazione del cliente, plasmando in ultima analisi il futuro del settore dell’elettronica di potenza”.