Collaborazione Infineon e Fairchild a vantaggio dei MOSFET

Infineon e Fairchild estendono la loro collaborazione per assicurare la compatibilità dei componenti dual MOSFET asimmetrici per stadi di potenza da 5x6 mm^2

Pubblicato il 8 marzo 2012

Infineon Technologies e Fairchild Semiconductor hanno annunciato di avere esteso la propria collaborazione per assicurare la compatibilità dei componenti dual MOSFET asimmetrici per stadi di potenza da 5×6 mm2.

I componenti PowerStage 5×6 di Infineon utilizzano un package SMD senza piombo che integra i MOSFET high e low side di un convertitore DC/DC in un package con dimensioni di 5×6 mm2. Questo ha il vantaggio di ridurre l’ingombro nell’area del progetto fino all’85%, di minimizzare l’effetto induttivo e conseguire in tal modo un picco di efficienza del 93,5%.

Le due società, che collaborano insieme già dal 2010, hanno deciso di adottare un pin-out standard, con l’obiettivo di fornire agli utilizzatori sicurezza nella catena distributiva e al contempo un adeguato bilanciamento tra efficienza e prestazioni di conversione buck DC/DC.



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