CISSOID ha annunciato un nuovo modulo di potenza intelligente trifase basato su MOSFET SiC per applicazioni di E-mobility.
Questo nuovo modulo offre una soluzione completa che include il raffreddamento ad acqua e gate driver integrati.
Il primo prodotto di questa piattaforma scalabile è il modulo MOSFET SiC 1200V/450A a 3 fasi, caratterizzato da perdite di conduzione basse grazie a una resistenza di conduzione di 3.25mOhms, come pure da basse perdite da commutazione, con energie di accensione e spegnimento di rispettivamente 8.3mJ e 11.2mJ a 600V/300A.
Il modulo ottimizza contemporaneamente il design elettrico, meccanico e termico dei MOSFET di potenza SiC, collocando il circuito di controllo nella loro immediata prossimità. Questa piattaforma è scalabile e riduce il time to market per costruttori di veicoli elettrici e per produttori di motori per trazione elettrica.
Il modulo è raffreddato ad acqua attraverso una piastra di dissipazione AlSiC in grado di operare con temperature di giunzione fino a 175°C e di sostenere tensioni di isolamento fino a 3600V (50Hz, 1min).