L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare e sviluppare adattatori ad alta densità di potenza e alimentatori per data center utilizzando la tecnologia GaN.
Recentemente CGD ha realizzato la seconda serie della famiglia di HEMT (high-electron-mobility-transistor) al nitruro di gallio da 650 V ICeGaN, che impiegano l’interfaccia di gate sviluppata da CGD che elimina pressoché del tutto il tipico punto debole dei transistor al GaN funzionanti in modalità di arricchimento (“e-mode”), offrendo una affidabilità contro le sovratensioni notevolmente migliorata, soglia più alta di immunità al rumore, soppressione del transitorio dV/dt e protezione contro la scarica elettrostatica.
Giorgia Longobardi, Amministratrice Delegata di CGD, ha dichiarato:”Chicony Power è uno dei principali produttori di alimentatori a commutazione al mondo e quindi questo accordo rappresenta una straordinaria pietra miliare nel cammino di CGD volto a fornire una tecnologia per dispositivi di alimentazione efficienti sia ai nostri clienti che alla società in generale. La combinazione dei punti di forza delle nostre aziende, insieme al gruppo HVMS presso l’Università di Cambridge, rinomato a livello globale, accelereranno lo sviluppo e l’adozione di soluzioni per alimentazione ad alta densità di energia in una vasta gamma di applicazioni”.
Peter Tseng, Presidente di Chicony Power Technology ha affermato: “Chicony Power intende collaborare con CGD e HVMS a causa del loro notevole know-how nel settore del GaN. CGD ha già realizzato la seconda serie dei suoi HEMT ICeGaN che offrono prestazioni ineguagliate in termini di affidabilità e facilità d’uso. E grazie alle sue radici e ai legami ancora solidi stretti con l’Università di Cambridge, CGD può avvalersi di 25 anni di esperienza nell’ambito della ricerca universitaria – un periodo di tempo più lungo rispetto a molte altre aziende affermate nel settore del GaN”.