Cadence ha annunciato l’ampliamento del supporto per gli standard di memoria di nuova generazione nelle tecnologie di processo di Samsung Foundry. Questo ampliamento è particolarmente interessante per la realizzazione di applicazioni ad ampia larghezza di banda come per esempio HPC, AI e ADAS.
Cadence ha realizzato il tape out dell’IP PHY DDR5/4 sul processo Samsung 7nm Low Power Plus (7LPP), dell’IP PHY GDDR6 sul processo Samsung 14nm Low Power Plus (14LPP) e dell’ IP PHY HBM2 (2,4G High -Bandwidth Memory 2) sul processo Samsung 10nm Low Power Plus (10LPP), ricaratterizzandola sul processo 8nm Low Power Plus (8LPP).
Inoltre, l’IP PHY per GDDR6 di Cadence è stata implementata con successo su silicio realizzato con processo Samsung 7LPP.
Questo passaggio consente ai clienti di iniziare a realizzare i loro progetti utilizzando le tecnologie di processo di Samsung Foundry su nodi avanzati con la certezza che l’IP dell’interfaccia DRAM Cadence sia pronta per essere utilizzata, accelerando i tempi di integrazione su chip e riducendo i rischi di interoperabilità.