Cadence amplia il supporto per le tecnologie di memoria

Pubblicato il 23 maggio 2019

Cadence ha annunciato l’ampliamento del supporto per gli standard di memoria di nuova generazione nelle tecnologie di processo di Samsung Foundry. Questo ampliamento è particolarmente interessante per la realizzazione di applicazioni ad ampia larghezza di banda come per esempio HPC, AI e ADAS.

Cadence ha realizzato il tape out dell’IP PHY DDR5/4 sul processo Samsung 7nm Low Power Plus (7LPP), dell’IP PHY GDDR6 sul processo Samsung 14nm Low Power Plus (14LPP) e dell’ IP PHY HBM2 (2,4G High -Bandwidth Memory 2) sul processo Samsung 10nm Low Power Plus (10LPP), ricaratterizzandola sul processo 8nm Low Power Plus (8LPP).

Inoltre, l’IP PHY per GDDR6 di Cadence è stata implementata con successo su silicio realizzato con processo Samsung 7LPP.

Questo passaggio consente ai clienti di iniziare a realizzare i loro progetti utilizzando le tecnologie di processo di Samsung Foundry su nodi avanzati con la certezza che l’IP dell’interfaccia DRAM Cadence sia pronta per essere utilizzata, accelerando i tempi di integrazione su chip e riducendo i rischi di interoperabilità.



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