EON_636

EON EWS n . 636 - DICEMBRE 2019 18 Un’offerta completa ON Semiconductor for- nisce una vasta gamma di IGBT, diodi e MOSFET SiC in grado di soddisfare una pluralità di requisiti, in termini di tensioni e di cor- renti, degli inverter. Partico- larmente interessanti sono i moduli di potenza, che integrano un certo numero di differenti commutatori di potenza e diodi in un sin- golo package al fine di ga- rantire ridotte dimensioni, semplicità di progettazione e una maggiore efficien- za nello smaltimento del calore. Oltre ai dispositivi elettronici di potenza per la rete, l’offerta della socie- tà prevede numerosi altri prodotti come circuiti per il pilotaggio del gate (gate driver), dispositivi per iso- lamento galvanico e ampli- ficatori operazionali ad alte prestazioni. All’evolvere delle tecno- logie per la produzione e l’immagazzinamento dell’energia da fonti rinno- vabili, a cui si accompa- gnata una diminuzione dei costi, aumenta l’utilizzo di inverter nella rete. Oltre a contribuire a ridurre l’in- quinamento e le emissioni di anidride carbonica, gli inverter consentono di re- alizzare reti più resilienti e partecipative dove la linea di demarcazione tra con- sumatori e produttori tende a farsi via via più sfumata. Con il giusto controllo e coordinamento, le società che gestiscono la distribu- zione dell’energia possono migliorare la qualità della potenza che viene erogata, ridurre i costi di aggiorna- mento e garantire una mi- gliore affidabilità dei servizi forniti ai clienti. L’elettroni- ca di potenza è l’elemento chiave che consente que- sto rinnovamento di un’in- frastruttura che è, per sua natura, particolarmente critica. I vantaggi del carburo di silicio Grazie all’utilizzo di nuovi materiali è possibile ottene- re migliori prestazioni e au- mentare I livelli di efficienza e affidabilità. Il carburo di silicio (SiC), in particolare, è il materiale del futuro. I dispositivi elettronici di po- tenza realizzati con questo materiale sono caratterizza- ti da perdite di conduzione e di commutazione inferiori rispetto a quelle di analo- ghi dispositivi in silicio. La prima fase di questa tran- sizione interessa il diodo, riportato in figura 1, colle- gato in configurazione anti- parallela rispetto agli IGBT. La sostituzione dei tradizio- nali diodi in silicio con diodi SiC permette di ridurre sia le perdite sia i fenomeni di overshoot (oscillazioni) du- rante la commutazione, che comporta una diminuzione delle sollecitazioni sull’in- verter. Anche se i diodi SiC sono più costosi rispetto agli analoghi dispositivi in silicio, è comunque possibile ri- durre il costo complessivo del sistema grazie all’uso di dissipatori di calore più pic- coli e alla diminuzione del- le dimensioni del sistema stesso. La fase successiva della migrazione contempla l’adozione di MOSFET SiC. Questi dispositivi sono ca- ratterizzati da una velocità di commutazione maggiore rispetto a quella degli IGBT in silicio, con evidenti van- taggi nella fase di boost (aumento della tensione) dei sistemi fotovolataici. Solitamente, la tensione di uscita dei pannelli fotovol- taici viene aumentata me- diante un convertitore Dc- DC. Grazie alla maggiore velocità di commutazione, l’uso dei MOSFET SiC per- mette di ridurre il ricorso a costosi dispositivi passivi come gli induttori nella fase di boost, oltre a garantire un aumento dell’efficienza. D.: Qual è la sua opinio- ne in merito alle princi- pali tendenze del merca- to ADEF? R.: Ad alti livelli, l’aumen- to dei budget per la Difesa sta guidando la crescita degli investimenti nel set- tore ADEF. Stiamo assi- stendo a come tecnologie dirompenti, in particolare negli spazi applicativi di ra- dar, comunicazioni militari, Guerra Elettronica e muni- zioni intelligenti, vengono influenzate dalle esigenze dei clienti, quali migliora- mento di dimensioni, peso, potenza e costi, guada- gnando allo stesso tempo in termini di prestazioni. I clienti sono alla ricerca di una più rapida adozione e implementazione di nuove tecnologie, poiché il time to market sta diventando sempre più importante e le attuali risorse ingegneri- stiche sono messe a dura prova. D.: Quali sono le strate- gie chiave adottate dalla vostra azienda nel bre- ve/medio periodo per rispondere meglio alle esigenze del mercato? R.: L’ampio portfolio di so- luzioni RF, power e di con- vertitori di ADI si presta a una copertura completa della catena del segnale da RF a bit e viceversa. Di conseguenza, ADI è in grado di fornire maggiori contenuti, assumersi una maggiore responsabilità nello sviluppo e, in una certa misura, nell’integra- zione a livello di sistema, aspetti di cui i clienti avreb- bero dovuto farsi carico in precedenza. Sfruttando le nostre risorse applicative dedicate ai sistemi ADEF Abbiamo incontrato Jon Bentley, Aerospace & Defense Regional Marketing Director di Analog Devices con il quale abbiamo approfondito tematiche sulle tendenze future e le strategie dell’azienda per il settore ADEF Uno sguardo al futuro del settore ADEF JON BENTLEY A TTUALITÀ