EON_635

EON EWS n . 635 - NOVEMBRE 2019 14 locità di trasferimento dati e minori consumi rispetto alle memorie DDR4/LPDDR4 e sviluppate per applicazioni che richiedono grossi spostamenti di dati (Big Data, intelligenza artificiale e machine learning). Per quanto concerne le memo- rie flash, i produttori stanno atti- vamente lavorando per portare la densità per chip a 1 Tb dagli attuali 512 Gb. Anche in que- sto caso l’evoluzione è impu- tabile alla richieste provenienti dalle applicazioni nei settori 5G, edge computing (elabora- zione alla periferia della rete) e AI. Per supportare in maniera adeguata queste applicazioni, dispositivi e sistemi finali come ad esempio smartphone, ser- ver e apparecchiature per data center richiedono capacità di memoria sempre maggiori. Ol- tre ai progressi dei chip NAND, anche le specifiche dell’inter- faccia delle soluzioni di stora- ge per smartphone verranno aggiornate da UFS (Universal Flash Storage) 2.1 a UFS 3.X che garantisce una maggiore velocità di trasferimento dati. Per quanto riguarda le soluzio- ni di storage per il mercato dei server e dei data center l’an- no prossimo vedrà l’adozione su larga scala di PCIe Gen 4 negli SSD di fascia enterprise, che garantisce un raddoppio, in termini di velocità e presta- zioni, rispetto a PCIe Gen. 3. Soluzioni per il 5G Nel settore delle telecomuni- cazioni i principali sviluppi con- tinueranno a ruotare attorno al 5G. I più importanti produt- tori di chip per comunicazioni (come Qualcomm , HiSilicon , Samsung e MediaTek ) e for- nitori di apparecchiature tele- com (da Huawei a Ericsson a Nokia ) introdurranno soluzioni di vario tipo per conquistarsi una fetta di questo mercato. L a guerra commerciale tra Stati Uniti e Cina ha senza dubbio avuto ripercussioni negative sul mercato globale dei semiconduttori. Anche se le prospettive della domanda permangono incerte, molte società di analisi di mercato come ad esempio TrendFor- ce prevedono una graduale ripresa grazie alle richieste provenienti da mercati quali 5G, intelligenza artificiale (AI) e automotive. Per quanto ri- guarda le aziende impegnate nella progettazione di chip, le loro strategie saranno focaliz- zate essenzialmente sull’intro- duzione di core IP della pros- sima generazione e nel raffor- zamento delle loro capacità legate alla personalizzazione dei chip e dello sviluppo di circuiti ASIC. Inoltre saranno impegnate ad ridurre i tempi di introduzione delle tecnolo- gie di processo della prossima generazione, comprese quelle con geometrie di processo di 7 e 5 nm che utilizzano la li- tografia ultravioletta estrema (EUV). Una gran parte dei pro- dotti realizzati il prossimo anno utilizzeranno infatti questo tipo di processi. Una grande atten- zione è rivolta allo sviluppo e all’utilizzo di materiali semi- conduttori composti come car- buro di silicio (SiC), arseniuro di gallio (GaAs) e nitruro di gallio (GaN). Le caratteristiche di questi materiali – resistenza alle alte tensioni, commutazio- ne ad alta frequenza e bassa resistenza – li rendono adatti alla realizzazione di discreti di potenza, commutatori RF e altri prodotti adatti all’uso in applicazioni quali 5G e veicoli elettrici. Per quanto riguarda il settore del packaging dei circuiti in- tegrati, si sta guardando con molto interesse a un’archi- tettura di tipo SiP (System in Package), ritenuta più idonea a soddisfare le esigenze delle applicazioni citate in prece- denza in quanto garantisce una maggiore flessibilità e un costo inferiore rispetto a un’ar- chitettura di tipo SoC (System on Chip). Evoluzione nel settore delle memorie Il processo di produzione del- le DRAM si sta avvicinando ai limiti fisici dettati dalla legge di Moore nel momento in cui si è entrati nel dominio dei nodi dei 10 nm – 1X, 1Y e 1Z – dove le lettere maiuscole indicano i processi di prima, seconda e terza generazione: 1X po- trebbero essere i processi da 19 a 17 nm, 1Y quelli tra 16 e 14 e 1Z quelli tra 13 e 10 nm. A questi livelli un’ulteriore ridu- zione delle dimensioni del die non comporterebbe più un si- gnificativo aumento del nume- ro dei bit, mentre la riduzione dei costi appare un obiettivo sempre più difficile da raggiun- gere. I fornitori di DRAM stan- no cercando di raddoppiare la densità per chip (da 8 a 16 Gb) utilizzando tecnologie di seconda e terza generazione. Il 2020 vedrà anche il debutto delle DRAM DDR5/LPDDR5, caratterizzate da maggior ve- Con la crescente richiesta di tecnologie quali AI e 5G, TrendForce esamina quali sono le principali aree di sviluppo nei settori dei semiconduttori, delle memorie, degli smartphone e di altri prodotti finali Industria ICT : i trend da “tenere sott’occhio” per il 2020 I trend più significativi del 2020 (Fonte:TrendForce – novembre 2019) A LESSANDRO N OBILE A TTUALITÀ