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ELETTRONICA OGGI 533 - aprile 2026 51 TECNOLOGIA All’inizio del 2025 sono emerse notizie di un importante sviluppo nel campo della tecnologia avanzata dei semiconduttori. L’Istituto Na- zionale di Scienze e Tecnologie Industriali Avanzate (Aist), in colla- borazione con Honda R&D, ha realizzato con successo un prototipo di Mosfet in diamante con terminazione H. Questa svolta ha segnato la prima dimostrazione di un funzionamento di commutazione ad alta velocità a livello di ampere, un importante progresso nel campo della ricerca e dello sviluppo dei semiconduttori. Il team di ricerca di Keita Takaesu et al. ha aumentato le dimensioni del substrato e sviluppato una tecnologia di cablaggio parallelo per aumentare la corrente (doi: 10.35848/1882-0786/adba3a). In futuro, intendono applicare questa tecnologia alla prossima generazione di dispositivi di alimentazione mobile. Attualmente stanno verificando e convali- dando i risultati preliminari, che apriranno la strada a Mosfet in dia- mante con correnti più elevate. Sviluppi in Europa In Europa sono stati realizzati diversi progetti, ma è opportuno men- zionare il programma quadro per la ricerca e l’innovazione deno- minato Horizon 2020, avviato nel gennaio 2014. Gli obiettivi di Horizon 2020 erano rafforzare le basi scientifiche e tecnologiche dell’UE, creare uno Spazio europeo della ricerca con libera circola- zione dei ricercatori e delle conoscenze e guidare l’UE verso una so- cietà della conoscenza e un’economia competitiva. Nell’ambito di Horizon 2020, un sotto progetto denominato Green Electronics with Diamond Power Devices, coordinato dal Centre Na- tional de la Recherche Scientifique (Cnrs) francese, mirava ad esplo- rare le possibilità e la fattibilità di questa promettente tecnologia e ha quindi costituito un consorzio. Il consorzio riunisce esperti nella progettazione di dispositivi di potenza, nella crescita e caratteriz- zazione dei diamanti, nel confezionamento e nel collaudo, nonché un innovativo utente finale. La maggior parte dei partner era anche coinvolta nella tecnologia SiC o GaN, consentendo al progetto di beneficiare della loro vasta esperienza e dei risultati ottenuti nei semi- conduttori a banda larga. Tra i rapporti più significativi pubblicati nell’ambito di questo proget- to, e come parte della fase successiva, la società francese Diamfab, fondata nel marzo 2019 dal CEO Gauthier Chicot e dal CTO Khaled Driche, con sede presso l’Istituto Néel-Cnrs, ha creato una rete di col- laborazione contribuendo allo sviluppo tecnologico della sintesi dei diamanti e allo sviluppo di componenti all’avanguardia come i diodi Schottky e i transistor Mosfet. In termini di ricerca, importante menzionare la collaborazione tra l’I- stituto Néel (Cnrs), il Laboratorio di Plasma e Conversione dell’Energia (Laplace, Cnrs/Toulouse INP/Università) e Diamfab, che hanno pro- gettato un transistor al diamante che ha raggiunto una conduzione di corrente volumetrica record di 50 mA. Il componente è un transistor a effetto di campo a giunzione (Jfet) che utilizza la conduzione volume- trica. Il team è riuscito a ottenere strati omogenei di diamante drogato con boro, senza difetti dannosi. È stato così possibile aumentare il volu- me utile del transistor e del suo gate, che raggiunge i 14,7 mm con 24 dita parallele. Il transistor non è più un semplice dimostratore in minia- tura, ma un vero e proprio componente utilizzabile, che fa ben sperare per il futuro della tecnologia dei transistor al diamante. A sinistra, schema in sezione trasversale di un Jfet elementare in diamante con la configurazione di misurazione elettrica. A destra, vista dall’alto al microscopio ottico di un Jfet interdigitato in diamante al termine del processo di fabbricazione