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MERCATI ELETTRONICA OGGI 532 - marzo 2026 26 MRAM, LE MEMORIE CHE NON DIMENTICANO Nata da un programma sui materiali magne- tici avviato in Motorola negli anni ’90 e di- ventata società indipendente nel 2008, Ever- spin Technologies è oggi uno dei principali riferimenti mondiali nel campo delle memo- rie magnetoresistive (Mram, Magnetoresisti- ve Random Access Memory). Dalle applica- zioni industriali ai data center, dallo spazio agli Fpga, le memorie Mram si stanno rita- gliando un ruolo chiave laddove le memorie tradizionali mostrano limiti strutturali. Ne ab- biamo parliamo con Sanjeev Aggarwal, Pre- sident e CEO di Everspin Technologies. Qual è il posizionamento di Everspin nel panorama delle memorie magnetoresistive? Everspin nasce come spin-out da Freescale (ex Motorola) con un forte patrimonio IP sui materiali magnetici: sensori TMR, tecnologie per le testine HDD e, naturalmente, Mram. Il modello di business è duplice: da un lato la società concede in licenza la propria tecnologia per Mram embedded e sensori - ad esempio a GlobalFoundries e a diver- Le memorie magnetoresistive non volatili di lunga durata di Everspin Technologies stanno passando da soluzione di nicchia a potenziali sostitute delle memorie Flash nelle applicazioni dove ritenzione dei dati praticamente eterna e affidabilità sono requisiti essenziali Stefano Cazzani si contractor governativi statunitensi - dall’al- tro commercializza direttamente dispositivi Mram standalone. Parliamo di tecnologia: quali tipi di Mram offrite? Abbiamo sviluppato due grandi famiglie di prodotti. La prima è la Field Switch Mram, nota anche come Toggle Mram, in cui la commutazione della cella di memoria av- viene tramite campi magnetici generati nelle linee di interconnessione. È una tecnologia estremamente robusta, pensata per applica- zioni di data logging dove contano velocità di accesso, numero di cicli praticamente illi- mitato e funzionamento affidabile a tempe- rature estreme. Le densità oggi coprono un intervallo che va da 128 kbit fino a 16 Mbit. La seconda famiglia è la Spin-Transfer Tor- que Mram (STT-Mram). In questo caso la commutazione dello strato magnetico avvie- ne facendo passare corrente attraverso la barriera tunnel della cella di memoria MTJ (Magnetic Tunnel Junction). Il grande vantag- gio è la scalabilità con il nodo Cmos: al ri-