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TECNOLOGIA EO power - gennaio | febbraio 2026 XXIX CONVERTITORE BUCK SINCRONO Diodes ha introdotto AP61406Q, un convertitore da 5,5 V, 4 A e interfaccia I²C. Questo modello opera con intervallo di tensione di ingresso compreso tra 2,3 V e 5,5 V. Integra un Mosfet di potenza da 75 mΩ sul lato alto e uno da 33 mΩ sul lato basso per fornire una conversione CC-CC step-down ad alta efficienza. Il prodotto è particolarmente interessante grazie alla presenza dell’interfaccia seriale compatibile con I²C 3.0 che supporta frequenze di clock SCL fino a 3,4 MHz e consente la programmabilità di vari parametri, tra cui modalità PFM/PWM, frequenze (1 MHz, 1,5 MHz, 2 MHz, 2,5 MHz) e correnti di uscita (1 A/2 A/3 A/4 A). Questo componente può essere utilizzato in diverse applicazioni POL (Point of Load) tra cui infotainment, quadri strumenti, telematica e sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS). PMIC PER CELLE IBRIDE e-peas ha sviluppato AEM15820, un Pmic per energy harvesting ottimizzato per sfruttare il potenziale delle celle fotovoltaiche ibride. Questo particolari celle offrono un intervallo di generazione di energia significativamente più ampio rispetto a quelle che usano tecnologie fotovoltaiche tradizionali. La loro potenza può infatti variare dai microwatt con illuminazione interna a diversi watt con luce solare diretta e AEM15820 è in grado di gestire l’intero intervallo. AEM15820 è ottimizzato per l’uso sia con batterie che con condensatori LiC. Fornisce una tensione di uscita da 0,6 a 3,3 V, fino a 100 mA, e integra una modalità di regolazione della sorgente configurabile. Il dispositivo può infatti essere completamente configurato tramite Gpio o I²C ed è inoltre incluso un ingresso CC da 5 V per la ricarica rapida della batteria da fonti di rete. ONSEMI: NUOVI MOSFET IN T2PAK Onsemi ha presentato i suoi Mosfet EliteSiC nel package top-cool T2PAK per applicazioni automotive e industriali. Questa nuova soluzione offre sensibili miglioramenti in termini di prestazioni termiche, affidabilità e flessibilità di progettazione per applicazioni ad alta potenza e alta tensione in mercati come quelli dei veicoli elettrici, infrastrutture per energia solare e sistemi di accumulo di energia. I Mosfet EliteSiC da 650 V e 950 V di Onsemi in package T2PAK combinano la tecnologia SiC con un formato di packaging top-cool che trasferisce in modo efficiente il calore dal circuito stampato direttamente all’infrastruttura di raffreddamento del sistema. Questo design riduce al minimo la resistenza termica tra giunzione e dissipatore e supporta un’ampia gamma di opzioni Rds(on) (da 12 mΩ a 60 mΩ), offrendo una maggiore flessibilità di progettazione. GEL ELASTOMERICO TERMOCONDUTTIVO La Chomerics Division di Parker Hannifin ha realizzato Therm-A-GAP GEL 120, un materiale termoconduttivo monocomponente erogabile caratterizzato da una conduttività termica molto elevata (il valore è di 12 W/mK). Questo gel permette di risolvere problemi, anche particolarmente complessi, legati alla dissipazione del calore, fornendo una elevata flessibilità di progettazione. L’azienda sottolinea che la sua formulazione riduce le temperature di giunzione termica e conduce efficacemente il calore lontano dai componenti elettronici che lo generano. Come materiale di riempimento è utilizzabile in spazi di vari spessori, creati dalle tolleranze di assemblaggio e produzione oppure da superfici ruvide, da meno di 0,5 mm a 4 mm. Il prodotto può funzionare in una gamma di temperature compresa tra -50 °C e +200 °C.