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EO POWER/AUTOMOTIVE - novembre | dicembre 2025 XXII Power/Automotive Fonti e Riferimenti https://www.fluke.com/en-us/learn/blog/ power-quality/cable-length-vfd-motors https://www.nema.org/docs/default-source/ standards-document-library/mg-1-part-31-wa- termark.pdf?sfvrsn=649fb42f_1 Application Manual Power Semiconductors (Semikron) TRENCHSTOP 1200 V IGBT7 T7 Applica- tion Note (Infineon) (AN2018-14) Amit’s Tech Corner, Microchip Aviation and Defense Newsletter Edition 23 Dec 2024 Il chip Igbt7 ha intrinsecamente una mag- giore capacità di corrente rispetto alla ge- nerazione precedente Igbt4. Ciò si traduce in una maggiore potenza di uscita rispetto a quell’ingombro, con conseguente salto di dimensione del frame, il che implica che è possibile utilizzare un frame di dimensioni in- feriori al posto di quelli più grandi. Questo aumenta anche la densità di potenza com- plessiva in quanto è possibile comprimere più potenza in una determinata area, evita il parallelismo nel numero di commutatori, riduce la complessità e migliora affidabilità e durata. Una maggiore densità di potenza riduce i costi della distinta base (BoM) del Ciò consente risparmi notevoli sui costi non solo per i moduli, ma anche per la scheda del gate driver, con conseguente progetta- zione del sistema di potenza a basso costo. Le caratteristiche dell’Igbt7 e i suoi vantag- gi per l’utente finale rendono questi modu- li di potenza versatili per molteplici appli- cazioni e megatrend, dalle applicazioni a bassa frequenza di commutazione a quelle a media frequenza. La facilità d’uso sen- za complessità nel meccanismo di azio- namento del gate rende la progettazione senza problemi ed elimina le risorse nella progettazione di nuovi driver. Le molteplici topologie possono essere facilmente utiliz- zate come elementi costitutivi per conver- titori di molteplici applicazioni, offrendo flessibilità di progettazione e tempi di com- mercializzazione più rapidi. I moduli di potenza Igbt7 consentono mol- teplici applicazioni come energia solare, eolica, azionamento di motori, ESS (Ener- gy Storage System), CAV (Commercial and Agricultural Vehicles), data center, ferrovie, E-mobility, trasmissione e distribuzione e aviazione grazie alla loro versatilità e offro- no grandi vantaggi ai clienti in termini di po- tenza, precisione e prestazioni. SOVRACCARICO MOMENTANEO / CORRENTE DI BASE INTERVALLO DI TEMPO TRA I SOVRACCARICHI (MINUTI) 110% >= 9 125% >= 28 150% >= 60 ESEMPIO DI DURATE DI SOVRACCARICO PER MOTORI POLIFASE ALIMENTATI DA INVERTER Package D3 SP6 SP6P SP6LI Altezza 30 mm 17 mm 17 mm 17 mm Stray inductance 30 nH 15 nH 5 nH 2.9 nH Tensione di overshoot ~350 to 450 V ~225 V ~75 V ~< 50 V I PACKAGE A BASSA INDUTTANZA PARASSITA DI MICROCHIP RIDUCONO IL SUPERAMENTO DELLA TENSIONE sistema di alimentazione e offre un time to market più rapido. I package a bassa induttanza parassita di microchip riducono il superamento della ten- sione migliorando durata e affidabilità. Il profilo inferiore consente di concentrare più potenza in un minor volume, migliorando la densità di potenza se utilizzato con la tecno- logia Igbt7. Con una tensione di overshoot inferiore, di- venta relativamente più facile per l’utente uti- lizzare moduli da 1.200 V per il DC link fino a 700-800 V invece di 1.700 V, a condizio- ne che il layout complessivo dell’inverter sia a bassa induttanza con busbar a sandwich.