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TECNOLOGIA ELETTRONICA OGGI 528 - SETTEMBRE 2025 70 I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) offrono vantaggi significativi rispetto ai tradizionali Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT). Questo è particolarmente vero nelle applicazioni a carico parziale, come gli inverter di trazione per veicoli elettrici (EV), dove la maggior parte del funzionamento avviene a carico parziale e l’efficienza è cruciale per l’autonomia a cura di Emea Power Experts, Avnet Silica Oltre il silicio, la tecnologia SiC I vantaggi dei dispositivi in tecnologia SiC rispetto agli IGBT inclu- dono minori perdite di conduzione e di commutazione. Le caratte- ristiche lineari del SiC e la frequenza di commutazione sono infatti fondamentali per determinare l’entità di tali perdite. Per ottenere un’efficienza sempre maggiore nell’elettronica di po- tenza, i progressi delle tecnologie a semiconduttore sono fonda- mentali. Questo articolo analizza le prestazioni di due tipi comuni di moduli: Transistori bipolari a gate isolato (IGBT) e transistori al carburo di silicio (SiC). Gli inverter di trazione per veicoli elettrici (EV) sfruttano questi di- spositivi per convertire l’alimentazione DC delle batterie ad alta tensione nell’uscita AC necessaria per azionare un motore elettrico AC trifase. Per la maggior parte del tempo, l’inverter di trazione del veicolo elettrico funziona a una frazione del pieno carico no- minale, che viene raggiunto solo in fase di accelerazione. Pertan- to, un’elevata efficienza a carico parziale è un requisito essenziale per ottenere un’autonomia maggiore. Sebbene l’efficienza a pieno carico possa sembrare comparabile, una valutazione più approfondita rivela che i dispositivi SiC offro- no notevoli vantaggi. Ciò si evidenzia in particolare nelle applica- zioni come i veicoli elettrici (EV), in cui il funzionamento a carico parziale è la modalità principale. Per valutare in modo completo l’efficienza dei SiC rispetto agli IGBT, verranno analizzate sia le perdite di conduzione che quelle di commutazione. Perdite di conduzione Durante la conduzione di corrente (stato on) gli IGBT presentano una caduta di tensione, che si genera tra i terminali di collettore ed emettitore (Vce) e che determina la componente di perdita di