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EO POWER/AUTOMOTIVE - GIUGNO/LUGLIO 2025 XXVIII Power/Automotive Questo articolo illustra brevemente le problematiche legate alla commutazione a basse perdite nei circuiti PFC CCM e illustra un esempio di dispositivo MPS di Vishay General Semiconductor - Diodes Division , mostrando come utilizzarlo per ridurre al minimo le perdite zione al minimo di queste perdite richiede in genere un diodo Si con una maggiore corrente media diretta, che comporta dimensioni fisiche maggiori e costi più elevati. Un diodo al carburo di silicio (SiC) è una scelta migliore in un circuito PFC CCM perché la sua corrente di recupero inverso è solo di natura capacitiva. La minore iniezione di portatori minoritari in un dispositivo SiC significa che la perdita di commutazione di un diodo SiC è prossima allo zero. Inoltre, i diodi SiC Merged PIN Schottky (MPS) riducono la caduta di tensione diretta del dispositivo, in maniera simile a un diodo SiC Schottky convenzionale. Ciò riduce ulteriormente le perdite di conduzione. Questo articolo illustra brevemente le problematiche le- gate alla commutazione a basse perdite nei circuiti PFC CCM e illustra un esempio di dispositivo MPS di Vishay Utilizzo dei diodi SiC MPS per minimizzare le perdite negli alimentatori a commutazione ad alta frequenza Rolf Horn Applications Engineer DigiKey I circuiti a commutazione ad alta frequenza, come quelli per la correzione del fattore di potenza (PFC) che utiliz- zano la modalità di conduzione continua (CCM), richie- dono diodi a basse perdite di commutazione. Per i diodi al silicio (Si) convenzionali in modalità CCM, le perdite di commutazione provengono dalla corrente di recupero inverso del diodo dovuta alla carica immagazzinata nel- la giunzione del diodo durante lo spegnimento. La ridu- Fig. 1 - Confronto tra le strutture dei diodi SiC Schottky (a sinistra) e MPS (a destra). (Immagine per gentile concessione di Vishay Se- miconductor)