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EO POWER/AUTOMOTIVE - MAGGIO 2025 VIII Power/Automotive mente quando si raggiunge la stabilità termica. I moduli combinano la tecnologia PFC ottimizzata Pulsiv OSMIUM con un flyback QR per erogare in modo sicuro 65W o 70W (compatibile con MacBook) e sono disponibili in un fattore di forma ul- tra-compatto a forma di forma cubica o piatta. Maggiori informazioni sono disponibili all’indirizzo: www.pulsiv.com ROHM Fra i prodotti più interessanti proposti da ROHM da segnalare un’unità in- verter per applicazioni automotive che utilizza il TRCDRIVE pack, costituito da un modulo stampato SiC 2-in-1. Di rilievo anche le soluzioni di potenza per caricabatterie di bordo (OBC), fondamentali per le applicazioni nella mo- bilità elettrica, tra cui i nuovi moduli di potenza stampati EcoSiC. Power Eco Family ROHM ha raggruppato le quattro linee di prodotti di semiconduttori di po- tenza sotto il marchio “Power Eco Family” e sta contribuendo allo sviluppo di un ecosistema sostenibile attraverso il miglioramento delle prestazioni delle applicazioni. I dettagli della Power Eco Family sono i seguenti. • EcoSiC è un marchio di dispositivi che utilizzano carburo di silicio, un materiale che sta attirando l’attenzione nel campo dei dispositivi di potenza grazie a prestazioni superiori a quelle del silicio. • EcoGaN raggruppa dispositivi compatti ed efficienti dal punto di vista energetico che utilizzano bassa resistenza di ON e la commutazione ad alta velocità del GaN con l’obiettivo di ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni e ridurre il numero di componenti periferici, a tutto vantaggio della semplicità di progetto. • EcoIGBT è il marchio di IGBT di ROHM dedicato ai dispositivi ed ai moduli progettati per soddisfare le esigenze delle applicazioni ad alta tensione nel campo dei dispositivi di potenza. • EcoMOS è il marchio ROHM di MOSFET di potenza in silicio progettati per applicazioni ad alta efficienza energetica nel settore dei dispositivi di potenza. Nel corso dell’evento sono stati presentati numerosi esempi di applicazioni: un esempio interessante è quello relativo alla nuova line-up di dispositivi GaN. La serie EcoGaN™ di HEMT GaN da 650 V in package TOLL è stata utilizzata negli alimen- tatori per server AI di Murata Power Solutions. L’integrazione degli HEMT GaN di ROHM, che uniscono un funzionamento a bassa perdita a un’alta velocità di commutazione, nell’alimentatore da 5,5 kW per server IA di Murata Power Solutions consente di aumentare l’efficienza e il livello di miniaturzzazione. SemiQ A questa edizione di PCIM SemiQ Inc , ha proposto numerose novità nel settore dei MOSFET SiC ad alta potenza e dei moduli. I moduli MOSFET da 1200 V in package SOT-227, basati sui SiC di terza generazione di SemiQ, sono disponibili in versio- ni con R DSon compresa fra 8,4 e 39 mΩ e sono caratterizzati da elevata velocità di commutazione, perite ridotte e bassa resistena termica tra giunzione e contenitore. I MOSFET QSiC da 1200 V sono disponibili sotto forma di “bare die” e in package TO-247 4L e hanno ricevuto la certificazione AEC-Q101 per l’uso in campo automotive. Contraddistinti da elevate valori di velocità di commutazione e di efficienza, questi dispositive SiC di terza generazione sono disponibili in versioni conR DSon compresta tra 16 and 80 mΩ. I moduli “full-bridge” da 1200 V di SemiQ sono in grado di erogare una potenza fino a 330 W con un assorbimento con-